特許
J-GLOBAL ID：200903078089004050
酸化インジウム系焼結体および酸化物焼結体の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
大場 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平2-410685
公開番号（公開出願番号）：特開平5-155651
出願日： 1990年12月14日
公開日（公表日）： 1993年06月22日
要約：
【要約】【目的】 高能率でスパッタリングを行なっても、アーキングや生成スパッタ膜の汚染を生ずることのない酸化インジウム系スパッタリングターゲットを提供する。【構成】 I.相対密度の85%以上かつ酸化度が96%以上のインジウム系焼結体。II.目的物の組成に調合した粉末またはその成形品を、酸化物となったとき、目的製品より高い酸素解離圧を示す金属等で内面を覆ったカプセルを使用して熱間静水圧プレスで焼結圧密化する。
請求項（抜粋）：
酸化インジウムを基とし、酸化錫またはさらに酸化亜鉛を0.5〜20wt%含有する酸化インジウム系焼結体において、相対密度が85%以上であり、かつ上記それぞれの酸化物がIn2O3,SnO2およびZnOとなったとしたときの化学当量酸素の96.0%以上の酸素量を含有することを特徴とする酸化インジウム系焼結体。
IPC (2件)：
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