特許

J-GLOBAL ID：200903078089644857

半導体集積回路装置

発明者： 杉浦 順 ,  土屋 修 ,  小笠原 誠 ,  大塚 文雄 ,  鳥居 和功 ,  浅野 勇 ,  大和田 伸郎 ,  堀内 光明 ,  田丸 剛 ,  青木 英雄 ,  大塚 伸宏 ,  白井 精一郎 ,  佐川 雅一 ,  池田 良広 ,  加賀 徹 ,  恒岡 正年 ,  新名 朋次 ,  大岸 秀次 ,  笠原 修 ,  榎並 弘充 ,  若原 篤志 ,  秋森 裕之 ,  鈴木 慎一 ,  船津 圭亮 ,  川崎 義直 ,  坪根 恒彦 ,  古賀野 正佳 ,  津金 賢
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-064077
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250683
出願日： 1989年03月20日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【課題】 下地絶縁膜と配線との接着性を向上させ、配線の加工精度を向上させる。【解決手段】 半導体基板の主面上に形成された絶縁膜上に形成された配線の金属膜が、スパッタ法で形成された第1金属膜と、CVD法で形成された第2金属膜を有し、前記第2金属膜は、前記第1金属膜の上に形成されている。スパッタ法で堆積した遷移金属膜は前記下地絶縁膜、配線の夫々との接着性が高いので、前記下地絶縁膜と配線との接着性を向上することができると共に、前記スパッタ法で堆積した遷移金属膜はその上層の配線と実質的に同種の遷移金属膜で形成されているので、配線及びその下層の遷移金属膜の加工精度を向上することができる。

請求項（抜粋）：

主面を有する半導体基板と、前記半導体基板の主面上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された金属膜からなる複数の配線とを有する半導体集積回路装置において、前記金属膜は、スパッタ法で形成された第1金属膜と、CVD法で形成された第2金属膜を有し、前記第2金属膜は、前記第1金属膜の上に形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (6件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 27/10 681 B ,  H01L 21/90 B ,  H01L 27/08 321 F ,  H01L 27/10 681 F ,  H01L 29/78 301 X

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-199827
  
• 特開昭63-205951
  
• 特開平2-134815
  
• 特開平2-228034