半導体装置の電極形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-332139
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120163
出願日： 1992年09月30日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】 Alを含むIII-V族化合物半導体基板表面への良好なオーミック特性を有する電極の形成方法に関する。【構成】 GaAlAs化合物半導体2の表面を真空装置内で逆スパッタ法により処理した後、同一真空装置内でAu-Ge(12wt%)-Ni(4wt%)をスパッタして電極3を形成する。

請求項（抜粋）：

Alを含むIII-V族化合物半導体からなる結晶の表面上へのオーミック接触電極の形成において、真空装置内で該結晶の表面をスパッタ法で処理して酸化物を除去した後、該結晶を該真空装置内から取り出すことなく該結晶の表面にオーミック接触を得る電極材を形成することを特徴とする半導体装置の電極形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , H01L 33/00 , H01S 3/18

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