特許
J-GLOBAL ID：200903078099309185
結晶成長方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
生形 元重 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-087387
公開番号（公開出願番号）：特開平7-277870
出願日： 1994年03月31日
公開日（公表日）： 1995年10月24日
要約：
【要約】【目的】 結晶成長方位が〔111〕の結晶についても、径方向の不純物濃度分布を均一化する。【構成】 溶融層法による単結晶の回転引き上げにおいて、上部が薄く下部が厚い上部高加熱・下部低加熱型のヒータ4を使用する。坩堝2内に形成された溶融層8aと固体層8bとの界面が、上方に凸の形状になる。融液温度の半径方向の温度差が大となり、坩堝2の回転数を小さくできる。坩堝2の回転数を小さくすることにより、結晶成長界面が平坦化し、結晶径方向の不純物濃度分布が均一化される。
請求項（抜粋）：
坩堝内の結晶用原料の上部を溶融させて、上層に溶融層を下層に固体層をそれぞれ形成し、固体層を溶融させながら溶融層から単結晶を引き上げる結晶成長方法において、溶融層と固体層との界面を上方に凸の形状にして、単結晶の引き上げを行うことを特徴とする結晶成長方法。
IPC (3件)：
C30B 15/00
, C30B 15/02
, C30B 29/06 502
