特許
J-GLOBAL ID：200903078101047452
改善されたイオン注入プロセスを用いて作成されたガラス絶縁体上半導体
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
柳田 征史
, 佐久間 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-341002
公開番号（公開出願番号）：特開2007-184581
出願日： 2006年12月19日
公開日（公表日）： 2007年07月19日
要約：
【課題】ガラス上半導体(SOG)構造を作成するための改良された方法を提供する。【解決手段】n型半導体ウエハに表面剥離層を形成するための複数のイオン注入プロセスをn型半導体ウエハの注入表面に施す工程であり、複数のイオン注入プロセスの内の少なくとも2つの、(i)イオンの種類、(ii)ドーズ量及び/または(iii)注入エネルギーの内の少なくとも1つは互いに異なるイオン注入プロセスを施す工程204、206、前記注入表面をガラス基板に接合する工程210、ガラス基板及び前記n型半導体ウエハの内の少なくとも1つを加熱する工程、および前記表面剥離層に破断がおこるような、応力が誘起される工程212とを含む。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
ガラス上半導体構造を形成する方法において、
n型半導体ウエハの注入表面に、前記n型半導体ウエハにおける表面剥離層の形成を開始するための第1のイオン注入プロセスを施す工程、
前記n型半導体ウエハの前記注入表面に、(i)イオンの種類、(ii)ドーズ量及び(iii)注入エネルギーの内の少なくとも1つが前記第1のイオン注入プロセスとは異なる、少なくとも1つの第2のイオン注入プロセスを施す工程、及び
電解を用いて前記表面剥離層の前記注入表面をガラス基板に接合する工程、
を含むことを特徴とする方法。
IPC (3件)：
H01L 21/02
, H01L 27/12
, H01L 21/265
H01L27/12 B
, H01L21/265 F
, H01L21/265 Q
, H01L21/02 B
