特許

J-GLOBAL ID：200903078106614800

突起電極の形成方法

発明者： 阿部 昭彦
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
代理人 (1件)： 杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-151144
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321506
出願日： 1995年05月26日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：

【要約】【目的】 無電解めっきにより形成する金属突起の占有面積を小さくする。【構成】 パッシベーション膜14上に仮硬化のポリイミドからなる保護膜16を形成する。次に、接続パツド13上に無電解めっきによりニッケルからなる金属突起18を形成する。この場合、仮硬化の保護膜16上において金属突起18が等方的に成長しても、金属突起18の高さの大部分を仮硬化の保護膜16の膜厚によって確保することができるので、仮硬化の保護膜16上に形成される金属突起18の横方向への広がりを小さくすることができる。したがって、金属突起18の占有面積を小さくすることができる。なお、この後、保護膜16を本硬化させると、保護膜16が熱収縮してその膜厚が小さくなるので、本硬化後の保護膜16上における金属突起18の高さを十分確保することができる。

請求項（抜粋）：

基板上に設けられた接続パツドを除く部分における前記基板上に熱収縮性樹脂からなる保護膜を仮硬化させて形成し、この保護膜をマスクとして前記接続パツド上に無電解めっきにより金属突起を形成し、この後前記保護膜を本硬化させて熱収縮させることによりその膜厚を小さくすることを特徴とする突起電極の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/321 ,  C23C 18/31 ,  H01L 21/288

FI (4件)：

H01L 21/92 604 S ,  C23C 18/31 F ,  H01L 21/288 N ,  H01L 21/92 604 D