特許

J-GLOBAL ID：200903078110092789

プラズマ成膜方法および半導体装置の製造装置

発明者： 蔡 基成
出願人/特許権者： 株式会社フロンテック
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-218213
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044187
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】 シリコン表面にプラズマCDV成膜法により絶縁膜を形成した場合に、不必要な膜形成を防止する。【解決手段】 プラズマ処理装置20のプラズマ処理室25内に設けた電極24に被処理基板1を載置し、プラズマ処理室25内が所望の圧力を保持するよう排気処理しながら、プラズマ処理室25内に非成膜性キャリヤガスを供給し、被処理基板1を加熱して、プラズマ処理室25内に供給するガスを非成膜性キャリヤガス中に成膜性ガスが添加された混合ガスに切り換えるとともに、電極22,24に高周波電力を供給してプラズマ処理室25内にプラズマを発生し被処理基板1表面に所望の膜を成膜する。

請求項（抜粋）：

プラズマ処理装置内に設けた一対の電極の一方の電極に被処理基板を載置し、前記プラズマ処理装置内が所望の圧力となるよう排気処理しながら、前記プラズマ処理装置内に非成膜性キャリヤガスを供給し、前記プラズマ処理装置内の圧力を前記所望の圧力に保持しつつ、前記プラズマ処理装置内に供給するガスを前記キャリヤガス中に成膜性ガスが添加された混合ガスに切り換え、次いで前記電極対に高周波電力を供給してプラズマ処理装置内にプラズマを励起し前記被処理基板表面に所望の膜を成膜することを特徴とするプラズマ成膜方法。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/50 B ,  H01L 21/205

Fターム (28件)：

4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030AA24 ,  4K030BA44 ,  4K030CA06 ,  4K030FA03 ,  4K030GA02 ,  4K030KA20 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD06 ,  5F045AE21 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045CA15 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB02 ,  5F045EH14