特許

J-GLOBAL ID：200903078113293416

磁気抵抗効果素子及びその製造方法

発明者： 前坂 明弘
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-276962
公開番号（公開出願番号）：特開2001-101626
出願日： 1999年09月29日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 バイアス層へのセンス電流の分流を防ぐ。【解決手段】 バイアス層5を形成するときに、磁性結晶粒子と、非磁性絶縁物質とを同時にスパッタする。このように、同時にスパッタすることにより、バイアス層5絶縁性が大きくなり、コンダクタンスが下がる。これにより、リード電極層6に流れるセンス電流が、バイアス層5へ分流することを防止できる。

請求項（抜粋）：

基板上に薄膜状に形成された磁気抵抗効果膜と、上記磁気抵抗効果膜の長手方向に形成され、且つ上記磁気抵抗効果膜の長手方向の両端部に磁気的に接続された一対のバイアス層と、これらバイアス層の直上にそれぞれ薄膜状に形成され、且つ上記磁気抵抗効果膜にオーバーラップして形成された一対のリード電極とを備え、上記バイアス層は、磁性結晶粒子間に非磁性絶縁物質が満たされてなることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4件)：

G11B 5/39 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 43/12

FI (5件)：

G11B 5/39 ,  H01L 43/08 B ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/10 ,  H01L 43/12

Fターム (6件)：

5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA09 ,  5D034BA21 ,  5D034CA04 ,  5D034DA07