特許
J-GLOBAL ID：200903078117092881
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-011461
公開番号（公開出願番号）：特開平9-205085
出願日： 1996年01月26日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：
【要約】【課題】 活性部にバーズビークが入り、活性部に素子を形成することが困難になる。【解決手段】 半導体基板101上に酸化膜105と窒化膜104とを順に堆積する。酸化膜105及び窒化膜104が活性部102となる領域にのみ残るよう素子分離領域103の酸化膜105及び窒化膜104を除去する。半導体基板101を酸化して素子分離用酸化膜106を形成した後、活性部102となる領域の窒化膜104を除去する。酸化膜106をエッチングすることにより、活性部102となる領域に酸化膜106が残らないように酸化膜106を除去して所定幅の活性部102を形成するとともに、残った酸化膜106で素子分離領域103を形成する。これにより、工程を増加することなく微細な素子分離領域を形成できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に酸化膜と窒化膜とを順に堆積し、次いで、前記酸化膜及び窒化膜が活性部となる領域にのみ残るよう素子分離領域の酸化膜及び窒化膜を除去し、その後、前記半導体基板を酸化して素子分離用絶縁膜を形成した後、前記活性部となる領域の窒化膜を除去し、しかる後、前記絶縁膜をエッチングすることにより、活性部となる領域に絶縁膜が残らないように絶縁膜を除去して所定幅の活性部を形成するとともに、残った絶縁膜で素子分離領域を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, H01L 21/76
, H01L 27/08 331
H01L 21/94 A
, H01L 27/08 331 B
, H01L 21/76 S
