特許

J-GLOBAL ID：200903078126107620

有機ルテニウム錯体及び当該ルテニウム錯体を用いたルテニウム薄膜の製造法

発明者： 角田 巧 ,  長谷川 千尋 ,  金戸 宏樹 ,  二瓶 央
出願人/特許権者： 宇部興産株式会社
代理人 (2件)： 伊藤 克博 ,  小野 暁子
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2007064713
公開番号（公開出願番号）：WO2008-013244
出願日： 2007年07月26日
公開日（公表日）： 2008年01月31日
要約：

本発明の一般式(1-1)(式中、Xは、一般式(1-2)で示される基(式中、Ra及びRbは、炭素原子数1〜5の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。)、Yは、一般式(1-2)で示される基又は炭素原子数1〜8の直鎖又は分枝状のアルキル基、Zは、水素原子又は炭素原子数1〜4のアルキル基を示す。Lは、少なくともふたつの二重結合をもつ不飽和炭化水素化合物を示す。)で示される有機ルテニウム錯体、ビス(アセチルアセトナト)(1,5-ヘキサジエン)ルテニウム、およびビス(アセチルアセトナト)(1,3-ペンタジエン)ルテニウムは、低融点を有し、且つ水分、空気及び熱に対しての安定性に優れるとともに、CVD法による成膜に適している。

請求項（抜粋）：

一般式(1-1)

IPC (4件)：

C07C 49/92 ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/28

FI (4件)：

C07C49/92 ,  C23C16/18 ,  H01L21/285 C ,  H01L21/28 301R

Fターム (19件)：

4H006AA01 ,  4H006AA02 ,  4H006AB84 ,  4H050AA01 ,  4H050AA02 ,  4H050AB84 ,  4H050WB11 ,  4H050WB13 ,  4H050WB21 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030BA01 ,  4K030FA10 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45

引用特許：

出願人引用 (3件)

• CVD用原料化合物及びルテニウム又はルテニウム化合物薄膜の化学気相蒸着方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-116054   出願人：田中貴金属工業株式会社
• 米国特許第6,303,809号公報
  
• 国際公開第2005/087697号公報