特許
J-GLOBAL ID：200903078130587148

窒化物半導体トランジスタ及びその製造方法

発明者：
引田 正洋

引田 正洋 について

, 
上田 哲三

上田 哲三 について


出願人/特許権者：
パナソニック株式会社

パナソニック株式会社 について


代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-318058
公開番号（公開出願番号）：特開2009-141244
出願日： 2007年12月10日
公開日（公表日）： 2009年06月25日
要約：
【課題】電流コラプスを抑制し、パワートランジスタに適用可能なノーマリーオフ型の窒化物半導体トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】窒化物半導体トランジスタは、基板11と、基板11の上に形成された第1の窒化物半導体層13と、第1の窒化物半導体層13の上に形成され、第1の窒化物半導体13と比べてバンドギャップエネルギが大きい第2の窒化物半導体層14と、第2の窒化物半導体層14の上に形成され、開口部を有する第3の窒化物半導体層15とを備えている。開口部を埋めるようにp型の第4の窒化物半導体層16が形成され、第4の窒化物半導体層16の上にはゲート電極21が形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板の上に形成された第1の窒化物半導体層と、 前記第1の窒化物半導体層の上に形成され、前記第1の窒化物半導体と比べてバンドギャップエネルギーが大きい第2の窒化物半導体層と、 前記第2の窒化物半導体層の上に形成され、開口部を有する第3の窒化物半導体層と、 前記開口部を埋めるように形成されたp型の第4の窒化物半導体層と、 前記第4の窒化物半導体層の上に形成されたゲート電極とを備えていることを特徴とする窒化物半導体トランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808
FI (2件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/80 C
Fターム (25件)：
5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GM10 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR09 ,  5F102GR10 ,  5F102GR12 ,  5F102GS01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-054330   出願人：株式会社東芝
審査官引用 (11件)
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