特許

J-GLOBAL ID：200903078131222860

パターンイオンビーム投射装置

発明者： 梅村 馨 ,  山本 立春
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-043825
公開番号（公開出願番号）：特開平8-241688
出願日： 1995年03月03日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 軽量のレンズを有するパターンイオンビーム投射装置を提供する。【構成】 電極内部に空洞6を設けるか、電極表面の凹部を設けるか、電極基板を軽金属で構成する。【効果】 従来の構造に比べ重量で半分以下に軽量化される。

請求項（抜粋）：

イオン源と、開口パターンを有するステンシルマスクを保持するマスクステージと、上記イオン源からのイオンビームを上記ステンシルマスクに照射するイオン照射光学系と、上記ステンシルマスクを通過したイオンビームを試料に投射して上記ステンシルマスクの上記開口パターンと略相似形の領域に投射するイオン投射光学系と、上記試料を保持する試料ステージとからなるパターンイオンビーム投射装置において、上記イオン照射光学系またはイオン投射光学系に含まれるレンズを構成する少なくとも一枚の電極が、内部に空洞を有するかもしくは電極面に凹部を有したパターンイオンビーム投射装置。

IPC (4件)：

H01J 37/12 ,  G03F 7/20 506 ,  H01J 37/305 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

H01J 37/12 ,  G03F 7/20 506 ,  H01J 37/305 B ,  H01L 21/30 541 S ,  H01L 21/30 551