特許

J-GLOBAL ID：200903078133801515

半導体デバイス特性の評価装置及びその評価方法

発明者： 藤戸 学 ,  宮野 尚哉
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-068191
公開番号（公開出願番号）：特開平5-273296
出願日： 1992年03月26日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【構成】 半導体デバイス11に電流を通電させ、出力される電圧値から半導体デバイス11の特性を評価する装置であって、半導体デバイス11を固定する試料ステージ12と、半導体デバイス11に電気的に接続されるプローブ14、15と、半導体デバイス11からプローブ14、15を介して出力された電圧値をデジタル信号に変換するA/D変換器19と、A/D変換器19で変換されたデジタル信号からフラクタル次元を計算するコンピュータ20とを備えている半導体デバイス特性の評価装置。【効果】 この装置を用いて半導体デバイスの特性を評価する場合、103点程度のデータ数で短時間に測定し解析することができ、またフラクタル次元の大きさで評価するので解析者の恣意に影響されることなく定量的に半導体デバイスの特性を評価することができる。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスに電流を通電させ、出力される電圧値から半導体デバイスの特性を評価する装置であって、半導体デバイスの固定手段と、前記半導体デバイスに電気的に接続される接触手段と、前記半導体デバイスから前記接触手段を介して出力された電圧値をデジタル信号に変換するA/D変換部と、該A/D変換部で変換されたデジタル信号からフラクタル次元を計算する信号演算処理部とを備えていることを特徴とする半導体デバイス特性の評価装置。

IPC (4件)：

G01R 31/26 ,  G01R 27/28 ,  G06F 15/417 ,  H01L 21/66