特許
J-GLOBAL ID:200903078135654005
フォトセンサシステム
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-281027
公開番号(公開出願番号):特開2001-102558
出願日: 1999年10月01日
公開日(公表日): 2001年04月13日
要約:
【要約】【課題】 ダブルゲート型フォトセンサを用いたフォトセンサシステムにおいて、検出結果がフォトセンサのドレイン電極に分布結合している容量に影響されないようにして、安定した検出結果が得られるフォトセンサシステムを抵抗する。【解決手段】 フォトセンサアレイ1において、フォトセンサ10のドレイン端子Dはドレインライン3と電源ライン2を介して電源(Vdrive)に接続され、ソース端子Sはソースライン4を介して電流検出抵抗R6に接続される。そして、リセット動作を行った後、光蓄積期間に入射される光量に応じてチャネル領域にキャリアが蓄積される。次いで、ボトムゲートライン102に読み出しパルスφBnを印加して、電流検出抵抗R6にフォトセンサから電流を流し、電流検出抵抗R6に生じる電圧VSを検出する読み出し動作を行う。この読み出し動作において、フォトセンサ10のドレイン端子Dとソース端子S間に入射光量に応じたオン抵抗が形成されているため、電流検出抵抗R6に流れる電流は入射光量に対応しており、電圧VSの値は入射光量に対応している。
請求項(抜粋):
半導体層を挟んで相対向して配されたソース電極及びドレイン電極と、これら半導体層、ソース電極及びドレイン電極を挟んでその両側にそれぞれ絶縁膜を介して該半導体層と相対向して第1ゲート電極及び第2ゲート電極が配され、該第1ゲート電極または第2ゲート電極のいずれか一方を光照射側としたフォトセンサと、該フォトセンサの前記ドレイン電極に接続された所定の電源と、該フォトセンサの前記ソース電極と接地電位間に設けられた電流検出抵抗と、を備えたことを特徴とするフォトセンサシステム。
IPC (5件):
H01L 27/146
, H01L 29/786
, H01L 31/10
, H04N 1/028
, H04N 5/335
FI (6件):
H04N 1/028 Z
, H04N 5/335 A
, H01L 27/14 C
, H01L 29/78 613 Z
, H01L 29/78 617 N
, H01L 31/10 G
Fターム (32件):
4M118AA05
, 4M118AA10
, 4M118AB10
, 4M118BA14
, 4M118CA11
, 4M118CB06
, 4M118DB09
, 4M118DD02
, 4M118DD12
, 4M118FB09
, 4M118FB13
, 5C051AA01
, 5C051BA03
, 5C051DA06
, 5C051DB01
, 5C051DB07
, 5C051DB13
, 5C051DE02
, 5F049MA15
, 5F049MB05
, 5F049NA03
, 5F049NB03
, 5F049RA02
, 5F049UA20
, 5F110AA02
, 5F110BB10
, 5F110CC07
, 5F110EE01
, 5F110EE30
, 5F110GG02
, 5F110GG15
, 5F110NN12
前のページに戻る