特許
J-GLOBAL ID：200903078138145667
ショットキ接合型半導体ダイオード装置の製法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-322110
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150920
出願日： 1998年11月12日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】【課題】 漏れ電流が生じるおそれのないショットキ接合型半導体ダイオード装置を、フォトマスクを用いるリソグラフィ法を適用した工程を1回だけとした少ない工程数で、製造できるようにする。【解決手段】 カソード用n型低抵抗半導体基板本体とカソード用n型半導体層とを有する半導体基板を用意し、そのカソード用n型半導体層に、溝を形成し、その溝の内面上に絶縁膜を形成し、次に、カソード用n型半導体層の溝内に、絶縁膜を介して、漏れ電流阻止電極用p型多結晶半導体層を、埋込み形成し、次に、カソード用n型半導体層の溝内によって画成されている領域及び漏れ電流阻止電極用p型多結晶半導体層上に、それら間に延長しているアノード用金属電極を、カソード用n型半導体層の溝によって画成されている領域との間でショットキ接合を形成するように形成する。
請求項（抜粋）：
カソード用n型低抵抗半導体基板本体とその主面上に形成されたカソード用n型半導体層とを有する半導体基板を用意する工程と、上記カソード用n型半導体層上に、第1の絶縁膜を形成する工程と、上記第1の絶縁膜上に、耐酸化性を有する第2の絶縁膜と、第3の絶縁膜とをそれらの順に堆積形成することによって、上記第1、第2及び第3の絶縁膜による絶縁膜積層体を形成する工程と、上記絶縁膜積層体に対する、マスク層を用いたエッチング処理によって、上記絶縁膜積層体に、上記カソード用n型半導体層を外部に臨ませる窓を形成する工程と、上記絶縁膜積層体に上記窓を形成する工程後、上記カソード用n型半導体層に対する、上記絶縁膜積層体をマスクとして用いたエッチング処理によって、上記カソード用n型半導体層に、溝を形成する工程と、上記カソード用n型半導体層に上記溝を形成する工程後、上記絶縁膜積層体を構成している上記第3、第2及び第1の絶縁膜中の上記第3の絶縁膜を、上記第2の絶縁膜上から除去する工程と、上記第3の絶縁膜を上記第2の絶縁膜上から除去する工程後、上記カソード用n型半導体層に対する、上記第2の絶縁膜をマスクとする熱酸化処理によって、上記カソード用n型半導体層の上記溝の内面上に、酸化膜を、第4の絶縁膜として形成する工程と、上記カソード用n型半導体層の上記溝の内面に上記第4の絶縁膜を形成する工程後、上記カソード用n型半導体層の上記溝内に、上記第4の絶縁膜を介して、漏れ電流阻止電極用p型多結晶半導体層を、埋込み形成する工程と、上記カソード用n型半導体層の上記溝内に上記漏れ電流阻止電極用p型多結晶半導体層を埋込み形成する工程後、上記第2及び第1の絶縁膜を、上記カソード用n型半導体層上から除去する工程と、上記第2及び第1の絶縁膜を上記カソード用n型半導体層上から除去する工程後、上記カソード用n型半導体層及び上記漏れ電流阻止電極用p型多結晶半導体層上に、それら間に連続延長しているアノード用金属電極を、上記カソード用n型半導体層との間でショットキ接合を形成するように形成する工程とを有することを特徴とするショットキ接合型半導体ダイオード装置の製法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/48 P
, H01L 29/93 S
4M104BB01
, 4M104BB02
, 4M104CC03
, 4M104DD07
, 4M104DD77
, 4M104EE15
, 4M104EE17
, 4M104FF06
, 4M104GG03
, 4M104HH20
