特許

J-GLOBAL ID：200903078142980481

全反射蛍光X線分析装置

発明者： 須賀 三雄 ,  落合 勲 ,  小嶋 寿夫 ,  糸賀 敏彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-215672
公開番号（公開出願番号）：特開平9-061382
出願日： 1995年08月24日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【目的】 一次X線を全反射する試料の表面近傍の元素分析おいて、不純物元素の検出限界を向上させることである。【構成】 試料表面に一次X線を微小な入射角度で照射する照射装置と、該試料の該一次X線を照射した領域から発生する蛍光X線を検出する蛍光X線検出器と、該試料により反射された反射X線を検出するための反射X線検出器とを備えた本願発明の全反射蛍光X線分析装置において、該蛍光X線検出器を2個以上の半導体検出素子を用いて構成する。【効果】 蛍光X線検出器のエネルギー分解能の向上と、蛍光X線の検出立体角を増大による蛍光X線の最大計数率の向上により、試料に含まれる不純物元素の検出限界を向上でき、近接したピークの分離と軽元素の検出も容易となった。

請求項（抜粋）：

試料表面に一次X線を微小な入射角度で照射する照射装置と、該試料の該一次X線を照射した領域から発生する蛍光X線を検出する蛍光X線検出器と、該試料により反射された反射X線を検出するための反射X線検出器を備えた全反射蛍光X線分析装置において、上記蛍光X線検出器を2個以上の半導体検出素子を用いて構成することを特徴とする全反射蛍光X線分析装置。