特許
J-GLOBAL ID：200903078145549722
磁気抵抗素子回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-044427
公開番号（公開出願番号）：特開平8-242027
出願日： 1995年03月03日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：
【要約】【目的】 差動振幅電圧を全温度範囲で温度補償可能な磁気抵抗素子回路を得る。【構成】 4個の磁気抵抗素子RA〜RDを連結してホイートストンブリッジ回路1を構成し、印加磁界角度θに応じて、第1の接続点P1からの電位V1と第2の接続点P2から電位V2との差動振幅電圧を生成し、各磁気抵抗素子を同一組成で形成するとともに、印加磁界角度の変化に対する各磁気抵抗素子の抵抗変化量を、第1、第2の磁気抵抗素子と、第3、第4の磁気抵抗素子との間で異なるように設定し、第1、第2の磁気抵抗素子の間で同一となり、第3、第4の磁気抵抗素子の間で同一となるように設定し、各磁気抵抗素子の温度特性を一致させ且つ各接続点の電位を逆方向として、差動振幅電圧に関する温度特性を相殺する。
請求項（抜粋）：
印加磁界角度によって抵抗値が変化する4個の磁気抵抗素子を連結してホイートストンブリッジ回路を構成し、前記4個の磁気抵抗素子のうち、第1および第2の磁気抵抗素子の接続点から第1の電位を出力し、且つ、前記第1および第2の磁気抵抗素子に対向配置された第3および第4の磁気抵抗素子の接続点から第2の電位を出力することにより、前記印加磁界角度に応じて、前記第1および第2の電位の差動振幅電圧を生成する磁気抵抗素子回路において、前記4個の磁気抵抗素子は、各々同一組成で形成されるとともに、前記印加磁界角度の変化に対する前記各磁気抵抗素子の抵抗変化量は、前記第1および第2の磁気抵抗素子と前記第3および第4の磁気抵抗素子との間で互いに異なるように設定されるとともに、前記第1および第2の磁気抵抗素子の間で互いに同一、且つ、前記第3および第4の磁気抵抗素子の間で互いに同一となるように設定されたことを特徴とする磁気抵抗素子回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 43/08 A
, G01R 33/06 R
