特許

J-GLOBAL ID：200903078147245194

半導体装置およびその製造方法

発明者： 堀越 和彦 ,  諫田 尚哉 ,  林 良彦 ,  須賀 卓
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-128536
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312377
出願日： 1996年05月23日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、LSIが形成された半導体チップの表面に大容量のバイパスコンデンサを500°C以下の低温プロセスにて形成することにより、高速動作可能で、かつ不要電磁輻射を抑制した半導体チップを提供することを目的とする。【解決手段】 配線が形成された後のLSIチップ1の絶縁層上に、薄膜にて、第1の電極層2、誘電体層3、第2の電極層4を順次積層し、バイパスコンデンサを形成する。該第1の電極層2、および第2の電極層4を各々LSIチップの電源電極、およびグランド電極に電気的に接続する。誘電体層3は、結晶粒径50nm以上の焼結ターゲットを用いて、スパッタ成膜を行うことで、500°C以下低い成膜温度でもペロブスカイト結晶構造の誘電体膜が得られる。

請求項（抜粋）：

その表面に能動素子,グランド電極および電源電極の形成されたチップと、上記能動素子を覆うように、上記チップの上記能動素子の形成されている面の略全体に形成されたコンデンサとを備え、上記コンデンサは、上記グランド電極と電気的に接続された第1の電極と、ペロブスカイト結晶構造を有する誘電体から成る誘電体層と、上記電源電極と電気的に接続されている第2の電極とから成ること、を特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/316 ,  H05K 9/00

FI (4件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/316 Y ,  H05K 9/00 Q