特許

J-GLOBAL ID：200903078151940328

導体パターンの形成方法

発明者： 中田 好和 ,  大友 省三 ,  田中 一成
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社 ,  株式会社住友金属セラミックス
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-067276
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283512
出願日： 1994年04月05日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【構成】 アルミナセラミックス基板11上にポジ型フォトレジスト層12を形成した後、ポジ型フォトレジスト層12に導体パターン状の凹部15を形成し、凹部15にスキージ17を用いて導体ペースト16を充填してアルミナセラミックス基板11上に導体パターン18を形成する方法において、曲げ弾性率が30〜200kgf/mm2 の範囲にある材料からなるスキージ17を用いて凹部15に導体ペースト16を充填する導体パターンの形成方法。【効果】 凹部15の幅や直径の大小に拘わらず、凹部15以外のポジ型フォトレジスト層12上に導体ペースト16を残したり、ポジ型フォトレジスト層12を傷つけたりすることなく、凹部15への導体ペースト16の充填を完全に行うことができ、その結果平坦性に優れ、精密な形状を有する導体パターン18をアルミナセラミックス基板11上に形成することができる。

請求項（抜粋）：

セラミックス基板上にフォトレジスト層を形成した後、該フォトレジスト層に導体パターン状の凹部を形成し、該凹部にスキージを用いて導体ペーストを充填して前記セラミックス基板上に導体パターンを形成する方法において、曲げ弾性率が30〜200kgf/mm2 の範囲にある材料を用いて構成されたスキージを用いて前記凹部に前記導体ペーストを充填することを特徴とする導体パターンの形成方法。

IPC (3件)：

H05K 3/10 ,  H05K 1/03 ,  H05K 3/06

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭55-003679
  
• 特開昭47-023855
  
• 特開昭59-094895