特許
J-GLOBAL ID：200903078153271601
半導体ミリ波装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-230251
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077709
出願日： 1992年08月28日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】製造が容易で、信号の伝送損失および劣化を小さくすることの出来る半導体ミリ波装置を提供する。【構成】半導体基板1と、上記半導体基板1の主面に形成された溝2′またはリッジ26からなる導波路2と、上記半導体基板1に形成され、電磁波の送信または受信もしくは双方を行なう入出力結合装置5と、上記半導体基板の主平面に形成された半導体素子3、4と、を備えた半導体ミリ波装置。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、上記半導体基板の主面に形成された溝またはリッジからなる導波路と、上記半導体基板に形成され、電磁波の送信または受信もしくは双方を行なう入出力結合装置と、上記半導体基板の主面に形成された半導体素子と、を有することを特徴とする半導体ミリ波装置。
IPC (4件)：
H01P 3/123
, H01L 27/04
, H01P 3/08
, H01P 5/107
