特許
J-GLOBAL ID：200903078154404460
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-080866
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273185
出願日： 1994年03月28日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】【目的】 フィールドシールド素子分離構造の端部でのシリコン基板の局部酸化を防止する。【構成】 シールド電極5の側壁をシリコン窒化膜8で形成し、この側壁の下の部分のシールドゲート酸化膜4をシリコン窒化膜8で覆うことにより、ゲート酸化膜10形成時に、側壁の下の部分のシリコン基板1が局部的に熱酸化されてシールドゲート酸化膜4の端部が肥大化するのを防止する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にシールドゲート酸化膜を介して形成されたシールド電極によって素子分離を行う半導体装置において、上記シールド電極の側壁部における上記シールドゲート酸化膜の上に、耐酸化性の絶縁膜を含む電気絶縁性のサイドウォールスペーサーが形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/76 S
, H01L 29/78 301 R
