特許

J-GLOBAL ID：200903078155677346

薄膜容量素子の作製方法

発明者： 遠藤 恵子 ,  稲場 均 ,  米澤 政 ,  小木 勝実
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 重野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-158290
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012821
出願日： 1996年06月19日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】 整流特性を具備する薄膜容量素子を容易かつ効率的に製造する。【解決手段】 上部電極をスパッタリング法で形成するに当り、まずAr雰囲気にて逆スパッタを行って、誘電体層に酸素欠損を生起させた後、上部電極材料をスパッタする。【効果】 Ar雰囲気で逆スパッタを行うと誘電体層の表面にAr粒子が衝突し、この衝撃で誘電体層中の酸素が飛散する。これにより、酸素欠損組成となった誘電体層はその誘電特性を維持した上で、良好な整流特性を示す。この逆スパッタは上部電極の形成工程と連続して行うことができ、逆スパッタを行うことによる実質的な工程数の増加はない。

請求項（抜粋）：

下部電極上に誘電体層を形成し、該誘電体層上にスパッタリング法により上部電極を形成することにより、一対の電極間に薄膜状の誘電体層が形成された薄膜容量素子を製造する方法において、該上部電極を形成するに当り、まずAr雰囲気にて逆スパッタを行って、前記誘電体層に酸素欠損を生起させた後、上部電極材料をスパッタすることにより整流特性を有する薄膜容量素子を製造することを特徴とする薄膜容量素子の作製方法。

IPC (7件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/316 X ,  H01L 27/10 651