特許

J-GLOBAL ID：200903078156459334

蛍石単結晶のアニール方法

発明者： 佐久間 繁 ,  水垣 勉 ,  塩澤 正樹 ,  高野 修一 ,  西川 秀美
出願人/特許権者： 株式会社ニコン ,  応用光研工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-055264
公開番号（公開出願番号）：特開平10-251096
出願日： 1997年03月10日
公開日（公表日）： 1998年09月22日
要約：

【要約】【課題】 屈折率の均質性がよく、波面収差のパワー成分補正後のRMS 値及び非回転対称成分のRMS 値が小さくて、光リソグラフィーにおける光学系に使用できる蛍石単結晶が容易に得られ、特に波長250nm以下の光リソグラフィーに使用できる大口径で光学特性が良好な蛍石単結晶が得られる、蛍石単結晶のアニール方法を提供すること。【解決手段】 蛍石単結晶を最終製品(もしくは最終素材)に加工する前に行うアニールの方法において、前記最終製品(もしくは最終素材)の平面輪郭形状に近似または相似する、或いは略近似または略相似する平面輪郭形状となるように加工した蛍石単結晶に前記アニールを施すことを特徴とする蛍石単結晶のアニール方法。

請求項（抜粋）：

蛍石単結晶を最終製品(もしくは最終素材)に加工する前に行うアニールの方法において、前記最終製品(もしくは最終素材)の平面輪郭形状に近似または相似する、或いは略近似または略相似する平面輪郭形状となるように加工した蛍石単結晶に前記アニールを施すことを特徴とする蛍石単結晶のアニール方法。

IPC (3件)：

C30B 29/12 ,  C30B 33/02 ,  G02B 1/02

FI (3件)：

C30B 29/12 ,  C30B 33/02 ,  G02B 1/02