特許

J-GLOBAL ID：200903078157304920

表示装置の製造方法及び表示装置

発明者： 山岸 万千雄
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-233408
公開番号（公開出願番号）：特開2001-056650
出願日： 1999年08月20日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：

【要約】【課題】 薄膜トランジスタ上に層間絶縁膜を介して有機EL層を設けてなる表示装置の信頼性の向上を図る。【解決手段】 ガラスかなる基板1上に薄膜トランジスタ7を形成し、薄膜トランジスタ7を覆う状態で無機材料からなる層間絶縁膜20を基板1上に形成する。層間絶縁膜20をリフロー処理することによってその表面を平坦化する。この際、基板1の転移温度よりも低い温度でリフロー処理を行い、層間絶縁膜20を平坦化する。層間絶縁膜20に形成された接続孔20aを介して薄膜トランジスタ7に接続させる状態で、層間絶縁膜20上に有機EL素子15を形成する。

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタが形成された基板上に、無機材料からなる層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜をリフロー処理することによってその表面を平坦化する工程と、前記層間絶縁膜上に有機EL素子を形成する工程とを備えたことを特徴とする表示装置の製造方法。

IPC (8件)：

G09F 9/00 342 ,  G09F 9/30 348 ,  G09F 9/30 365 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/26

FI (8件)：

G09F 9/00 342 Z ,  G09F 9/30 348 A ,  G09F 9/30 365 Z ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/26 Z ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/78 627 A

Fターム (58件)：

3K007AB00 ,  3K007BA06 ,  3K007BB07 ,  3K007CA00 ,  3K007CB01 ,  3K007DA00 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  5C094AA37 ,  5C094AA60 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094DA09 ,  5C094EA05 ,  5C094EB01 ,  5C094FB01 ,  5C094FB02 ,  5C094HA08 ,  5F110AA18 ,  5F110BB01 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN25 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110PP01 ,  5F110QQ19 ,  5G435AA00 ,  5G435AA14 ,  5G435BB05 ,  5G435CC09 ,  5G435EE36 ,  5G435GG25 ,  5G435KK00 ,  5G435KK05 ,  5G435KK09