縦型CVD装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小川勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-180739
公開番号（公開出願番号）：特開2001-358080
出願日： 2000年06月12日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：

【要約】【課題】熱分解温度の異なる複数種類のガスを使用しても、被処理体(ウエハ)に均一な膜厚分布や抵抗率分布を得られる縦型CVD装置を提供する。【解決手段】縦型CVD装置において、反応器106内に複数の被処理体101が間隔を置いて積載されている。反応器外部には、反応器106の上面及び外周面を囲むように配置した加熱器110が設置される。熱分解温度の異なる原料ガスを反応器内部に供給するガス供給管として、第1のガス供給管105は、吐出口が反応器下部に位置し、第2のガス供給管401は、複数のガス噴出孔405を配設した内管402と冷却ガスを通す外管403とを備えた二重管により構成される。第2のガス供給管401は、反応器下部から反応器内の上部に導入されており、且つ外管403を通過する冷却ガスは、反応器の下部を通して排出するようにしてある。

請求項（抜粋）：

複数の被処理体を間隔を置いて積載する被処理体支持機構と、前記被処理体支持機構を収容する縦型に配置した反応器と、前記反応器の上面及び外周面を囲むように配置した加熱器と、原料ガスを反応器内部に供給する第1,第2のガス供給管とを備え、前記第1のガス供給管は、吐出口が前記反応器の下部に位置し、前記第2のガス供給管は、複数のガス噴出孔を配設した内管と冷却ガスを通す外管とを備えた二重管により構成され、前記ガス噴出孔が前記被処理体支持機構の傍らに位置するようにして反応器下部から反応器内の上部に導入されており、且つ前記外管を通過する冷却ガスを前記反応器の下部を通して排出するガス排出手段を有することを特徴とする縦型CVD装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C23C 16/455

FI (2件)：

H01L 21/205 , C23C 16/455

Fターム (19件)：

4K030BA29 , 4K030CA12 , 4K030EA03 , 4K030EA11 , 4K030KA04 , 4K030KA25 , 4K030KA26 , 5F045AB01 , 5F045AC01 , 5F045AC19 , 5F045AD09 , 5F045BB01 , 5F045DP19 , 5F045EC09 , 5F045EE12 , 5F045EE15 , 5F045EF03 , 5F045EF09 , 5F045EM10

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