特許

J-GLOBAL ID：200903078165696799

低誘電率膜形成用組成物、低誘電率膜及びその製造方法、並びに半導体装置

発明者： 中田 義弘 ,  鈴木 克己 ,  杉浦 巌 ,  矢野 映 ,  並木 崇久
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 廣田 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-077380
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273098
出願日： 2002年03月19日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：

【要約】【課題】 高強度で低誘電率な膜を形成可能な低誘電率膜形成用組成物等の提供。【解決手段】 150〜350°Cで熱分解する熱分解性基を側鎖に有するシロキサン樹脂を含む低誘電率膜形成用組成物である。熱分解性基が、エステル結合及びエーテル結合の少なくともいずれかを含む態様、シロキサン樹脂が、シランに結合する4つの基における少なくとも1つがエステル結合及びエーテル結合の少なくともいずれかを含む基であるシラン化合物を重合して得られた態様、シラン化合物が、下記一般式(1)及び(2)の少なくともいずれかで表される態様、シロキサン樹脂の重量平均分子量(Mw)が、5,500〜50,000,000である態様、などが好ましい。

請求項（抜粋）：

150〜350°Cで熱分解する熱分解性基を側鎖に有するシロキサン樹脂を含むことを特徴とする低誘電率膜形成用組成物。

IPC (3件)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/768 ,  C08G 77/14

FI (5件)：

H01L 21/312 C ,  C08G 77/14 ,  H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 Q ,  H01L 21/90 A

Fターム (49件)：

4J035BA01 ,  4J035BA06 ,  4J035BA11 ,  4J035BA16 ,  4J035CA01 ,  4J035CA162 ,  4J035EA01 ,  5F033HH11 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR14 ,  5F033RR23 ,  5F033RR29 ,  5F033SS02 ,  5F033SS04 ,  5F033SS22 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033VV16 ,  5F033WW03 ,  5F033XX01 ,  5F033XX24 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058AH02