特許
J-GLOBAL ID：200903078166673792
半導体圧力スイッチ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-277270
公開番号（公開出願番号）：特開平6-129925
出願日： 1992年10月15日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：
【要約】【目的】 ダイヤフラム上の電極とガラス基板上の電極から構成されている構造で、大気側からの圧力によって受圧ダイヤフラムが歪み前記2つの電極が接触し電気的な導通の状態を感知し、スイッチONの時の抵抗値が低く、温度特性、信頼性の優れた半導体圧力スイッチ。【構成】 シリコン基板1上面とダイヤフラム9上のダイヤフラム電極5およびガラス基板2上のガラス電極6とシリコン基板1上面のボンディングパット7、18等の配線電極をすべて金属配線とし、シリコン基板1と実装パッケージ10をダイヤフラム9が外側になるように気密性良くハンダ19で接着し、真空雰囲気中で実装パッケージ10の蓋14をして、前記シリコン基板1で大気とパッケージ内を遮断することによってシリコン基板1の上面に形成された凹部3とガラス基板2に覆われた前記凹部3内を真空に保持し、実装する。
請求項（抜粋）：
凹部に受圧用ダイヤフラムを形成したシリコン基板と、上記シリコン基板を覆って接合されたガラス基板とからなり、上記受圧用ダイヤフラムには、上記凹部を隔てて対向するガラス基板側に検出電極を形成し、反対側を受圧面とし、上記ガラス基板には、上記検出電極に対向する側に対向電極を形成してなる半導体圧力スイッチにおいて、上記各電極およびこれに接続される配線電極はすべて金属材からなり、かつ、上記シリコン基板には、上記ガラス基板を接合した側が上記ガラス基板を含めて実装用パッケージで蓋をされ、その内部が上記凹部とともに真空に保持されていることを特徴とする半導体圧力スイッチ。
IPC (4件)：
G01L 9/00
, H01H 35/34
, H01L 23/02
, H01L 29/84
