特許
J-GLOBAL ID：200903078168166898
薄膜半導体装置及び液晶表示装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-253263
公開番号（公開出願番号）：特開平9-096835
出願日： 1995年09月29日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：
【要約】【課題】 マスク材を用いることなく不純物注入工程を行なうことを可能とし、かつ高集積化を可能とする薄膜半導体装置を提供すること。【解決手段】 透明絶縁性基板上に、第1の薄膜トランジスタと第2の薄膜トランジスタが設けられており、第1の薄膜トランジスタの活性層及び透明絶縁性基板上に、第1の薄膜トランジスタのゲ-ト絶縁膜をなす第1の絶縁膜が形成され、この第1の絶縁膜の上に第1の薄膜トランジスタのゲ-ト電極及び第2の薄膜トランジスタの活性層が形成され、この第2の薄膜トランジスタの活性層及び第1の薄膜トランジスタのゲ-ト電極を覆う第2の絶縁膜が形成され、この第2の絶縁膜は、第2の薄膜トランジスタのゲ-ト絶縁膜を構成するとともに、第1の薄膜トランジスタの層間絶縁膜を構成することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
透明絶縁基板と、この透明絶縁基板上に選択的に形成された第1の半導体膜と、この第1の半導体膜に形成された第1導電型の第1のチャネル領域と、この第1のチャネル領域の両側にそれぞれ形成された第2導電型の第1のドレイン領域および第1のソース領域と、前記第1の半導体膜及び前記透明絶縁基板上に形成された第1の絶縁膜と、この第1の絶縁膜の前記第1のチャネル領域上の部分上に形成された第1のゲ-ト電極と、前記透明絶縁基板上の前記第1の絶縁膜上に形成された第2の半導体膜と、この第2の半導体膜に形成された第2導電型の第2のチャネル領域と、この第2のチャネル領域の両側にそれぞれ形成された第1導電型の第2のドレイン領域および第2のソース領域と、前記ゲ-ト電極と前記第2の半導体膜とを覆うように形成された第2の絶縁膜と、この第2の絶縁膜の前記第2のチャネル領域上の部分上に形成された第2のゲ-ト電極とを具備し、前記第1のチャネル領域、前記第1のドレイン領域、前記第1のソース領域、及び前記第1のゲ-ト電極により第1の薄膜トランジスタが構成され、前記第2のチャネル領域、前記第2のドレイン領域、前記第2のソース領域、及び前記第2のゲ-ト電極により第2の薄膜トランジスタが構成され、前記第1の絶縁膜は前記第1の薄膜トランジスタのゲ-ト絶縁膜を構成し、前記第2の絶縁膜は前記第2の薄膜トランジスタのゲ-ト絶縁膜を構成するとともに、前記第1の薄膜トランジスタの層間絶縁膜を構成することを特徴とする薄膜半導体装置。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, H01L 29/786
, H01L 21/336
G02F 1/136 500
, H01L 29/78 612 B
, H01L 29/78 613 A
, H01L 29/78 616 M
