特許

J-GLOBAL ID：200903078173876135

液晶表示装置

発明者： 深田 環 ,  本保 信明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-105078
公開番号（公開出願番号）：特開2000-356787
出願日： 2000年04月06日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：

【要約】【課題】 画素開口率を極力大きくとり、基板表面からの入射光や光学系からの反射光のチャネルへの入射を抑制することのできるライトバルブの画素構造を提供する。【解決手段】 裏面遮光膜3とブラックマトリクス12とで規定される領域内であって、薄膜トランジスタのチャネル長方向の側面近傍に少なくとも前記裏面遮光膜上に形成される層間膜4に裏面遮光膜3に接しない深さのダミーコンタクトホール7を有し、該ダミーコンタクトホール側壁に少なくとも配線材料からなる膜を形成することで、裏面遮光膜3のエッジ部からの反射光、ブラックマトリクス12のエッジ部からの入射光を遮光する。

請求項（抜粋）：

透明絶縁性基板上に、裏面遮光膜、該裏面遮光膜上に層間膜を介してポリシリコンからなるチャネル、ゲート絶縁膜、ゲート線に接続されたゲート電極を順次形成した薄膜トランジスタ(TFT)、該TFTにデータ信号を入力するデータ線、該TFT上に入射光を遮光するブラックマトリクスとを有するTFTを用いた画素構造において、裏面遮光膜とブラックマトリクスとで規定される領域内であって、TFTのチャネル長方向の側面近傍に少なくとも前記裏面遮光膜上に形成される層間膜に前記裏面遮光膜に接しない深さのダミーコンタクトホールを有し、該ダミーコンタクトホール側壁に少なくとも配線材料からなる膜が形成されていることを特徴とするTFTを用いた画素構造。

IPC (4件)：

G02F 1/1368 ,  G02F 1/1335 500 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1335 500 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/78 612 C ,  H01L 29/78 619 B