半導体装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-367075
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196006
出願日： 1998年12月24日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】ダイパッドと封止樹脂体との密着強度を改善し、耐湿性を向上した半導体装置およびその製造方法の提供。【解決手段】ダイパッド1の側面に複数の突起部9を設け、その突起部9を半導体素子3の搭載面側に折り曲げるようにリードフレームを加工する。そして、搭載面上に半導体素子3を搭載し、ダイパッド1の露出面を露出させて、半導体素子3、突起部9、インナーリード等を封止樹脂体7で封止する。すると、突起部9およびそれらの連結部分が封止樹脂体7に噛み合い密着性が向上。実装時のダイパッド1の変形が少なく、実装後も良好な耐湿性を維持できる。

請求項（抜粋）：

ダイパッド上に搭載された半導体素子と、前記ダイパッドの少なくとも2側面に設けられ前記半導体素子の搭載面側に屈曲した複数の突起部と、前記半導体素子に金属細線でそれぞれ電気的に接続された複数本のインナーリードと、各インナーリードにそれぞれ一体的に連結された各アウターリードと、前記搭載面、前記半導体素子、前記複数の突起部、前記金属細線、および前記インナーリード群を樹脂封止する4辺形の平板状に成形された封止樹脂体とを備え、前記アウターリード群を封止樹脂体の少なくとも2辺からそれぞれ引き出し、前記ダイパッドの露出面を前記封止樹脂体から露出させたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/50 , H01L 23/28

FI (2件)：

H01L 23/50 U , H01L 23/28 A

Fターム (36件)：

4M109AA01 , 4M109BA01 , 4M109CA21 , 4M109DA04 , 4M109DB02 , 4M109EA01 , 4M109EB11 , 4M109EC09 , 4M109FA03 , 4M109FA04 , 5F067AA04 , 5F067AA06 , 5F067AA09 , 5F067AA18 , 5F067AB03 , 5F067BD02 , 5F067BD04 , 5F067BD05 , 5F067BE00 , 5F067BE02 , 5F067BE07 , 5F067CA07 , 5F067DA01 , 5F067DA11 , 5F067DA14 , 5F067DA16 , 5F067DC11 , 5F067DC12 , 5F067DC13 , 5F067DC19 , 5F067DE09 , 5F067DE14 , 5F067DF06 , 5F067DF18 , 5F067EA01 , 5F067EA04

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-242749 出願人：ソニー株式会社
特開昭57-188857
特開昭52-129379

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