特許

J-GLOBAL ID：200903078181535339

不揮発性メモリセル

発明者： ゲオルク テムペル
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-515143
公開番号（公開出願番号）：特表2001-501034
出願日： 1997年09月15日
公開日（公表日）： 2001年01月23日
要約：

【要約】本発明は、ソース領域およびドレイン領域(6)を有するMOSトランジスタが半導体基体(1)の表面領域に設けられている、自己調整される不揮発性メモリセルに関する。MOSトランジスタのフローティングゲート(12)およびコントロールゲート(16)は相互にオーバーラップするようにトレンチ(8)内に設けられており、トランジスタチャネル(17)はトレンチ(8)の表面領域にラテラルに構成されている。

請求項（抜粋）：

ソース領域およびドレイン領域(6)を有するMOSトランジスタが半導体基体(1)の表面領域に設けられており、 MOSトランジスタのフローティングゲート(12)およびコントロールゲート(16)は相互にオーバーラップするようにトレンチ(8)内に設けられており、 トランジスタチャネル(17)はトレンチ(8)の表面領域に形成されている、自己調整される不揮発性メモリセルにおいて、 トランジスタチャネル(17)は半円形でトレンチの縁部に形成されている、ことを特徴とする自己調整される不揮発性メモリセル。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434