特許
J-GLOBAL ID：200903078182378970
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-099500
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310592
出願日： 1993年04月26日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：
【要約】【目的】酸化工程での転位欠陥をなくして素子特性の向上を図る。【構成】シリコン基板11の面方位は(100)である。このシリコン基板11には、複数の素子領域12a,12bが設けられる。そして、各々の素子領域12a,12bを電気的に分離するため、各素子領域を四角形状の溝13a,13bで取り囲む。溝13a,13bの各辺は、シリコン基板11に対して<110>方向に平行又は垂直である。
請求項（抜粋）：
面方位が(100)の半導体基板と、四角形状を有し、前記半導体基板における素子領域を取り囲む溝とを含み、前記溝の各辺は、前記半導体基板に対して<110>方向に平行又は垂直であることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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