特許
J-GLOBAL ID：200903078182579763
薄膜抵抗体の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-081907
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163814
出願日： 1992年04月03日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 薄膜抵抗体を内装する薄膜多層配線基板において、クラックの発生しない抵抗体膜の形成を可能とし、信頼性の高い抵抗体の形成とその製造不良率の低減を図ることができる薄膜抵抗体の形成方法を提供する。【構成】 絶縁基板上に絶縁膜と配線導体膜とが複数層積層される薄膜多層配線基板とされ、スルーホールに導体を充填して裏面に電気的に接続された配線基板1上に、第1絶縁膜2、抵抗体膜3、配線導体膜4、および第1絶縁膜2と同一材料による第2絶縁膜5が積層されている。そして、配線基板1上に第1絶縁膜2および抵抗体膜3と配線導体膜4が形成され、さらに抵抗体膜3の安定化熱処理は、上層の第2絶縁膜5の形成後に同時に1工程で行われる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に絶縁膜と配線導体膜とが複数層積層され、かつ該配線導体膜のうち少なくとも1層が抵抗体膜で形成される薄膜多層配線基板であって、前記絶縁基板上もしくは層間絶縁膜上に形成された抵抗体膜の上層に少なくとも1層の絶縁膜を形成し、該絶縁膜を形成した後、前記抵抗体膜の安定化熱処理を行うことを特徴とする薄膜抵抗体の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 27/01 311
, H01C 7/00
, H01C 17/06
, H01L 27/04
