特許
J-GLOBAL ID：200903078192468820
多層配線基体の製造方法および多層配線基体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-060526
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258034
出願日： 2002年03月06日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：
【要約】【課題】 接合部に良好な固相拡散層を形成して電気的接続の信頼性を向上させることが可能な多層配線基体の製造方法および多層配線基体を提供する。【解決手段】 第1の半導体チップ1と第2の半導体チップ2とを圧着するときに、熱硬化性樹脂層5の粘度が0.3〜80Pa・sとなるように設定されており、バンプ3とそのバンプ3と接触する接触部とを加熱して固相拡散により接合部を形成するとともに、接合部の形成が完了するまでは熱硬化性樹脂層5がゲル化しないようにした。それにより、熱硬化性樹脂層5を噛み込むことなく接合部を形成することができるとともに、良好な固相拡散層を形成して電気的接続の信頼性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
第1の配線基体の表面に形成された第1の電極および第2の配線基体の表面に形成された第2の電極のうち少なくともいずれか一方上に第1のバンプを形成する第1の工程と、前記第1の配線基体の前記第の1電極が形成されている側の主表面および前記第2の配線基体の前記第2の電極が形成されている側の主表面のうち少なくともいずれか一方上に前記熱硬化性樹脂層を形成する第2の工程と、前記第1の配線基体と前記第2の配線基体とを互いに圧着し、前記第1のバンプを介して前記第1の電極と前記第2の電極とを電気的に接続する第3の工程と、前記熱硬化性樹脂層を硬化させて、前記第1の配線基体と前記第2の配線基体とを固着する第4の工程とを備えた多層配線基体の製造方法であって、前記第3の工程においては、前記第1の配線基体と前記第2の配線基体とを圧着するときの前記熱硬化性樹脂層の粘度が0.3〜80Pa・sとなるように設定されており、前記第1のバンプと該第1のバンプと接触する接触部とを加熱して固相拡散により接合部を形成するとともに、該接合部の形成が完了するまでは前記熱硬化性樹脂層がゲル化しないようにした、多層配線基体の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/60 311
, H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
H01L 21/60 311 S
, H01L 25/08 Z
