特許

J-GLOBAL ID：200903078198980352

半導体記憶装置

発明者： 岩田 昌己 ,  中園 英孝 ,  亀井 隆夫 ,  江川 英和
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-168598
公開番号（公開出願番号）：特開平9-330589
出願日： 1996年06月07日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：

【要約】【課題】 製品完成以後にビット幅の設定を可能にした半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 メモリアレイの中から選択可能の最大ビット幅に対応した複数個のメモリセルを第1のアドレス選択回路により選択して第1の入出力部に接続させ、上記第1の入出力部の中からレジスタに記憶された入出力幅選択情報に従って上記入出力幅に対応した数の入出力回路を活性化させるとともに、かかる入出力幅に対応して上記第1の入出力部側を第2のアドレス選択回路より共通化させる。

請求項（抜粋）：

メモリアレイの中から選択可能の最大ビット幅に対応した複数個のメモリセルを選択して第1の入出力部とを接続させる第1のアドレス選択回路と、上記第1の入出力部に対応して設けられた入出力回路と、上記第1の入出力部の中からレジスタに記憶された入出力幅選択情報に従い、上記入出力幅に対応した数の入出力回路を活性化させるとともに、かかる入出力幅に対応して上記第1の入出力部側を共通化させる第2のアドレス選択回路とを備えてなることを特徴とする半導体記憶装置。