特許
J-GLOBAL ID：200903078203468720
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-345623
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211157
出願日： 1991年12月26日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：
【要約】【目的】 コレクタトップ型n-GaAs/p-Ge/n-GeHBTのエミッタコンタクト抵抗を低減し、コレクタ電流密度を増加させることで高速動作を実現する。【構成】 高濃度n型GaAsバッファー層3とn型GaAsエミッタ層7の間に高濃度InAs層4を挿入し、このInAs層4上にエミッタ電極5を作製する。InAsは露出した表面が自然にn転するため理想的なホミックコレタクトになり、コレタクト抵抗は1×10- 8 Ωcm2 程度にでき、コレクタ電流密度が1×105 A/cm2 と大きくとれる。
請求項（抜粋）：
砒化ガリウムをエミッタ、ゲルマニウムをベース、コレクタとし、エミッタが基板側にあるコレクタトップ型のnpn型ヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいてエミッタ電極とエミッタとの間に砒化インジウム層、もしくは砒化インジウムガリウム層、もしくは砒化インジウムと砒化ガリウムの超格子構造を有することを特徴としたヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
