特許
J-GLOBAL ID：200903078203869333
半導体発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-114571
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298342
出願日： 1996年05月09日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：
【要約】【課題】II-VI族半導体を用いたレーザダイオードに対して、電流狭窄構造、および、光導波構造を容易に、かつ、再現性良く形成する作製法を与える。【解決手段】マグネシウムを含むクラッド層を酸化する。【効果】II-VI族半導体を用いたレーザダイオードの低閾電流化、および、横モードの制御が可能となり、信頼性の高い短波長レーザが得られた。
請求項（抜粋）：
II-VI族半導体を含んで構成された半導体発光装置において、上記発光装置を構成するII-VI族半導体の酸化領域を設けて電流の流れる領域を制限したことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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