低損失酸窒化シリコン光導波路及びその製造方法及び光学装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：恩田博宣 , 恩田誠
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-538858
公開番号（公開出願番号）：特表2007-510961
出願日： 2004年11月10日
公開日（公表日）： 2007年04月26日
要約：

本発明は予め定められた波長範囲内の光を案内する光導波路に関し、該光導波路は光を閉じ込めるためのコア領域及びクラッド領域を含み、該コア領域と一つ又は複数のクラッド領域との少なくとも一方は基質上に形成されているとともに化学量論的組成SiaOxNyXzHvの材料を含む。本発明は更に光導波路を製造する方法に関し、該方法により得られた光導波路及びそのような導波路を含む光学装置に関する。本発明の目的は、水素結合に由来する吸収の低減による光学損失の低い光導波路を提供することにある。その問題は、XをB、Al、P、S、As、Sb及びそれらの組み合わせからなる元素より選択し、かつy/z比を1より大きくすることにより解決される。これは導波路内の低光吸収を、可能性としては広い波長範囲にて達成するという利点を有する。更に、比較的低温によるアニーリングは比較的低誘導のひずみを得るために使用され、それにより複屈折の低いものが得られる。光導波路は例えばPECVD法により製造され、当該方法は低損失導波路を更に処理するのには理想的である。本発明に従う導波路は900nm乃至1600nmにおいて0.05dB/cm未満の損失により特徴付けられる優れた伝搬性を示す。特に、Si:N-H振動の第二のオーバートーンによる吸収は、検出レベル以下の値に低減され得る。本発明は、例えば光通信システム、特に、構成要素を分けるため(例えば、スパッタ)、及び例えば、電気通信システム、ファイバ--トゥ-ザ-ホーム等のような波長分割多重システム(WDM)用の構成要素のために使用され得る。

請求項（抜粋）：

予め定義された波長範囲における光を案内するための光導波路であって、前記光導波路は光を閉じ込めるためのコア領域及びクラッド領域を含み、前記コア領域と一つ又は複数のクラッド領域とのうちの少なくとも一方は基質上に形成され、かつ前記コア領域と一つ又は複数のクラッド領域とのうちの少なくとも一方の全体又は一部は化学量論的組成SiaOxNyXzHvの材料を含み、 Xは、B、Al、P、S、As、Sb及びそれらの組み合わせからなる元素より選択され、かつy/z比は1より大きく、例えば1.2より大きい、1.5より大きい、1.8より大きい、2.0より大きい、2.5より大きい、3.0より大きい、3.5より大きい、4.0より大きい、4.5より大きい、5.0より大きい、5.5より大きい、6.0より大きい、7.0より大きい、又は8.0より大きい値である光導波路。

IPC (2件)：

G02B 6/12 , G02B 6/13

FI (2件)：

G02B6/12 N , G02B6/12 M

Fターム (34件)：

2H147AB31 , 2H147BE04 , 2H147EA02A , 2H147EA02B , 2H147EA13C , 2H147EA14A , 2H147EA14B , 2H147EA34A , 2H147EA34B , 2H147EA35A , 2H147EA35B , 2H147EA36A , 2H147EA36B , 2H147EA37A , 2H147EA37B , 2H147EA38A , 2H147EA38B , 2H147EA39A , 2H147EA39B , 2H147EA40A , 2H147EA40B , 2H147EA47A , 2H147EA47B , 2H147FA03 , 2H147FA05 , 2H147FA25 , 2H147FC04 , 2H147FC05 , 2H147FD19 , 2H147FF01 , 2H147FF04 , 2H147GA01 , 2H147GA15 , 2H147GA19

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