特許
J-GLOBAL ID：200903078209390447
光起電力素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-216728
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049370
出願日： 1998年07月31日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：
【要約】【課題】 透明電極層のシート抵抗が低い場合においても、光起電力素子のシャントや外観不良等の課題を解決することにより、良好な特性及び高い歩留りを有する光起電力素子の製造方法を提供する。【解決手段】 少なくとも導電性基板101上に裏面反射層102、半導体層103、及び前記半導体層101上にシート抵抗100Ω/□以下の透明電極層104を順次積層する光起電力素子の製造方法において、透明電極層104堆積後、光起電力素子を電気伝導度30〜100mS/cmの電解質溶液108内で電解処理することにより短絡電流通路の少なくとも一部を選択的に除去する。
請求項（抜粋）：
少なくとも導電性基板上に裏面反射層、半導体層、及びシート抵抗100Ω/□以下の透明電極層を順次積層する光起電力素子の製造方法において、透明電極層堆積後、光起電力素子を電気伝導度30〜100mS/cmの電解質溶液内で電解処理することにより短絡電流通路の少なくとも一部を選択的に除去することを特徴とする光起電力素子の製造方法。
Fターム (17件)：
5F051AA04
, 5F051AA05
, 5F051BA17
, 5F051CA16
, 5F051CA22
, 5F051CB21
, 5F051CB29
, 5F051DA04
, 5F051DA17
, 5F051EA09
, 5F051EA13
, 5F051FA02
, 5F051FA15
, 5F051FA16
, 5F051FA30
, 5F051GA02
, 5F051GA06
