特許

J-GLOBAL ID：200903078210688107

半導体装置の製造方法

発明者： 獅子口 清一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-009842
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203847
出願日： 1995年01月25日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】高アスペクト比を持つコンタクトホールに対して、良好なカバレッジでシリコン系薄膜を形成する。【構成】シリコン基板1上の酸化シリコン膜2にコンタクトホール3Aを形成したのち、その側壁に多結晶シリコン膜4を形成しアスペクト比約10のコンタクトホール3Bとする。次でLPCVD法を用い、原料ガスとしてSiH4 を表面反応律速条件で供給すると同時に、エッチングガスとしてのCl2 ガスを供給律速条件で供給して、コンタクトホールをアモルファスシリコン膜5で埋設する。次で熱処理し多結晶シリコン膜とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けた絶縁膜にコンタクトホールを形成したのち、CVD法により不純物を含むシリコン系(シリコン又はシリコン合金)膜を成長し前記コンタクトホールを埋設する工程とを有する半導体装置の製造方法において、前記シリコン系膜の成長は該シリコン系膜の原料ガスと該シリコン系膜をエッチングするエッチング用ガスとを同時に供給し、かつ前記原料ガスを、前記コンタクトホールの内外のガス濃度が均一になるように大流量を用いる表面反応律速条件で供給し、前記エッチングガスを、前記コンタクトホールの外部で高濃度となり底部で低濃度となるように少流量を用いるガス供給律速条件で供給することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/285 ,  C23C 16/24 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301