特許

J-GLOBAL ID：200903078212769740

半導体装置の製造方法および半導体製造装置

発明者： 保坂 浩二
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ ,  株式会社ルネサス東日本セミコンダクタ
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-366643
公開番号（公開出願番号）：特開2004-200381
出願日： 2002年12月18日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：

【課題】ダイシング後のウエハのブレーキングに際してのウエハテープを、均一に伸縮し易くする。【解決手段】ウエハテープのエキスパンド機構部50に、ウエハリング21に支持されたウエハテープのウエハリング21内周縁域に向けて、張力低減手段としての熱風吹出口55cを設け、ウエハテープを加熱して柔らかくする。併せて、ウエハリング21を設けるウエハリング載置部材をモータ53で回転させて、スポット的に吹き付けられる熱風を、ウエハテープのウエハリング21の全内周縁に当てるようにする。このようにウエハテープの周縁側に熱風を吹き付けることにより、ウエハテープを均一に伸縮させることができる。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

ダイシング後のウエハ上の半導体チップの個片化に使用するウエハ裏面に設けたウエハ支持部材の伸縮工程を有する半導体装置の製造方法であって、 前記ウエハ支持部材の周縁側の張力低減を、前記ウエハ支持部材の引き伸ばし前、あるいは半導体チップ個片化後の前記ウエハ支持部材の収縮前に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L21/301

FI (1件)：

H01L21/78 X