特許

J-GLOBAL ID：200903078215678509

シリコン単結晶の成長方法及び該方法により引き上げられたシリコン単結晶

発明者： 藤原 俊幸 ,  藤原 秀樹 ,  稲見 修一
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-157922
公開番号（公開出願番号）：特開平9-012392
出願日： 1995年06月23日
公開日（公表日）： 1997年01月14日
要約：

【要約】【構成】 坩堝1内の下方にシリコン単結晶用原料の固体層19を、坩堝1上方のシリコン融液よりなる溶融層13と共存させ、坩堝1周囲に設置されたヒータ2の加熱により固体層19を溶融させつつ、坩堝1およびシリコン単結晶16を所定の回転速度で回転させつつ、溶融層13からシリコン単結晶16を引き上げて成長させる結晶成長方法において、シリコン単結晶16を引き上げて成長させるのに伴ない、坩堝1の回転速度を上昇させることを特徴とするシリコン単結晶1の成長方法。【効果】 含有酸素濃度が14×1017atms/cm3 以下と低く、かつ結晶成長方向に均一な酸素濃度分布を有するシリコン単結晶1を成長させることができる。

請求項（抜粋）：

坩堝内の下方にシリコン単結晶用原料の固体層を、坩堝上方のシリコン融液よりなる溶融層と共存させ、前記坩堝周囲に設置されたヒータの加熱により前記固体層を溶融させつつ、前記坩堝およびシリコン単結晶を所定の回転速度で回転させつつ、前記溶融層からシリコン単結晶を引き上げて成長させる結晶成長方法において、シリコン単結晶を引き上げて成長させるのに伴ない、坩堝の回転速度を上昇させることを特徴とするシリコン単結晶の成長方法。

IPC (4件)：

C30B 15/00 ,  C30B 15/02 ,  C30B 29/06 502 ,  C30B 29/06

FI (4件)：

C30B 15/00 Z ,  C30B 15/02 ,  C30B 29/06 502 H ,  C30B 29/06 502 J