特許
J-GLOBAL ID：200903078218913312
マイクロ波パツケージ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-215892
公開番号（公開出願番号）：特開平5-037208
出願日： 1991年07月31日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【目的】 小型,軽量、かつ高電力デバイスの放熱効果の良好なマイクロ波パッケージを得ること。【構成】 ベースメタル1上に設けられたセラミック基板2を多層にし、その配線をセラミック基板2内部で行い、該セラミック基板2上の周囲にメタルフレームを設け、上記セラミック基板2上に低電力デバイスを配置し、ベースメタル1の一部を凸形状としたステージ部9を設け、そのステージ部9に高電力デバイス7を配置し、電源制御信号端子4を下層のセラミック基板2の下部に設け、ピン状の上下層接続端子5を上層のセラミック基板2の上部に設け、同軸シールとガラスハーメチックシールとからなる同軸構造のRF信号端子3aを上記セラミック基板2を貫通して上記ベースメタル1の下部に設けるようにした。
請求項（抜粋）：
レーダ等のマイクロ波モジュールに用いられるマイクロ波パッケージにおいて、入力されたマイクロ波信号の低雑音増幅,位相制御の切換え等を行う低電力デバイスと、該低電力デバイスの出力を大電力増幅する高電力デバイスと、該高電力デバイスを配置するための凸形状のステージ部を有するベースメタルと、該ベースメタル上に設けられ、上記低電力デバイス及び上記ステージ部を貫通するための貫通穴を有する、内部配線を施した多層セラミック基板と、該多層セラミック基板上の周囲に設けられたメタルフレームと、該ベースメタルの下部に設けられた、マイクロ波信号を入出力する同軸構造のRF信号端子と上記多層セラミック基板の上部及び下部に設けた、マイクロ波モジュールを構成するマイクロ波パッケージの上下層を接続する上下層接続端子及び上記低電力デバイス及び高電力デバイスを駆動する電源・制御信号端子とを備えたことを特徴とするマイクロ波パッケージ。
IPC (7件)：
H01P 5/08
, H01L 23/12 301
, H01L 25/04
, H01L 25/18
, H01P 1/00
, H01P 3/08
, H03F 3/60
