特許

J-GLOBAL ID：200903078219631825

発光ダイオード及びその製造方法

発明者： 菊池 幸夫 ,  柴田 幸弥
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-128811
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323749
出願日： 1999年05月10日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】 発光出力が高く且つ欠陥のない発光ダイオード及びその製造方法を提供する。【解決手段】 液相エピタキシャル成長により、p型GaAs基板5上にp型AlGaAsクラッド層4、p型AlGaAs活性層2、n型AlGaAsウィンド層1を成長させるダブルヘテロ構造の発光ダイオード及びその製造方法において、p型AlGaAsクラッド層4を成長させその表面にp型AlGaAsクラッド層4の原料溶液よりも混晶比が大きな原料溶液を接触させて残さを溶解・除去した後、p型AlGaAs活性層2を成長させる。

請求項（抜粋）：

液相エピタキシャル成長により、クラッド層と活性層を有する発光ダイオードにおいて、クラッド層と活性層との間にそのクラッド層よりも混晶比の大きなクラッド層を形成したことを特徴とする発光ダイオード。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/208

FI (2件)：

H01L 33/00 A ,  H01L 21/208 Z

Fターム (25件)：

5F041AA04 ,  5F041AA40 ,  5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA63 ,  5F041CA67 ,  5F041CB15 ,  5F053DD05 ,  5F053FF01 ,  5F053FF02 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053HH04 ,  5F053JJ01 ,  5F053JJ03 ,  5F053LL01 ,  5F053LL02 ,  5F053PP01 ,  5F053PP04 ,  5F053RR04 ,  5F053RR07 ,  5F053RR11