特許

J-GLOBAL ID：200903078223625899

半導体装置およびその製造方法

発明者： 田中 正幸 ,  齋田 繁彦 ,  綱島 祥隆
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-359463
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168092
出願日： 1999年12月17日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】シリコン酸化膜に対して十分な選択比が取れるシリコン窒化膜を形成すること。【解決手段】Si原料としてSi2 Cl6 を用いて、LPCVD法により塩素濃度が4×1020cm-3以上のシリコン窒化膜10を形成する。

請求項（抜粋）：

塩素濃度が4×1020cm-3以上であるシリコン窒化膜を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 21/318 B ,  H01L 21/90 K ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 681 Z ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 Y

Fターム (91件)：

5F033HH04 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN03 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP07 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ49 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ62 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ76 ,  5F033QQ89 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR12 ,  5F033RR13 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033RR20 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS13 ,  5F033TT06 ,  5F033TT07 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033VV16 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033XX01 ,  5F033XX24 ,  5F040DC01 ,  5F040EC02 ,  5F040EC04 ,  5F040EC07 ,  5F040EC20 ,  5F040ED03 ,  5F040EF02 ,  5F040EH07 ,  5F040EK05 ,  5F040EL02 ,  5F040EL03 ,  5F040EL04 ,  5F040EL06 ,  5F040FA02 ,  5F040FA07 ,  5F040FB02 ,  5F040FB04 ,  5F040FB05 ,  5F058BA09 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BC10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BJ02 ,  5F083GA03 ,  5F083GA27 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083KA05 ,  5F083MA02 ,  5F083MA20 ,  5F083PR21

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-239158   出願人：株式会社東芝
• 特開昭63-079974