特許
J-GLOBAL ID：200903078225637924
半導体ウェハ下の背面ガス圧力を制御する装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-370394
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275854
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：
【要約】【課題】 ウェハを支持部材の表面に均一に保持し、背面ガス圧をセルフコントロールして、熱伝導性ガスを均一に供給する装置を得ることを目的とする。【解決手段】 半導体ウェハプロセスシステムにおいて、ウェハとウェハ支持部材のウェハ支持表面との間に自己調節されたガス流を供給する装置である。この装置は、ウェハ支持部材を貫いて延びガスをウェハ支持表面に供給するガス導入口と、ウェハ支持部材を貫いてウェハ支持表面から延び、ウェハ支持表面からガスを排気する複数の排気口とからなる。複数の排気口は、ウェハ及びウェハ支持表面の間の背面ガス圧を均一に維持する。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハプロセスシステムにおける、ウェハとウェハ支持部材のウェハ支持表面との間のガス流における背面ガス圧を制御する装置であって、前記ウェハ支持部材を貫いて延び、ガスを前記ウェハ支持表面に供給するガス導入口と、及び前記ウェハ支持表面から前記ウェハ支持部材を貫いて延び、前記ウェハ支持表面からガスを排気する複数の排気口とを備え、前記複数の排気口は、前記ウェハ及び前記ウェハ支持表面の間の背面ガス圧を均一に維持することを特徴とする装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/68 R
, B23Q 3/15 D
