高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-243981
公開番号（公開出願番号）：特開2008-111103
出願日： 2007年09月20日
公開日（公表日）： 2008年05月15日
要約：

【課題】良好な液浸リソグラフィーに適したレジスト材料、パターン形成方法の提供。【解決手段】下記の一般式を含み、Mwが1,000〜500,000の高分子。(R1a、R1b、R1cはH、F、アルキル基又はフッ素化アルキル基。R2aはH、-R3-CO2R7又は-R3-OR7。R2cはフッ素化アルキル基。R3はフッ素を含んでもよい2価の有機基。R4はメチレン基又は酸素原子。R5はH、メチル基又はトリフルオロメチル基。R6はフッ素化アルキル基。R7はH、アルキル基、フッ素化アルキル基、酸不安定基又は密着性基。0≦a<1、0<b<1、0≦c<1、0<a+b+c≦1。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1a)、(1b)及び(1c)で表される繰り返し単位を含み、重量平均分子量が1,000〜500,000の範囲であることを特徴とする高分子化合物。

IPC (6件)：

C08F 220/10 , G03F 7/039 , G03F 7/004 , G03F 7/38 , H01L 21/027 , C08F 220/22

FI (6件)：

C08F220/10 , G03F7/039 601 , G03F7/004 501 , G03F7/38 501 , H01L21/30 502R , C08F220/22

Fターム (61件)：

2H025AA02 , 2H025AA04 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE07 , 2H025BF02 , 2H025BG00 , 2H025CC20 , 2H025FA10 , 2H025FA12 , 2H025FA19 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096DA04 , 2H096EA03 , 2H096EA05 , 2H096EA06 , 2H096EA07 , 2H096EA23 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 4J100AJ02Q , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100AL16P , 4J100AL16Q , 4J100AL16R , 4J100AL26P , 4J100AL26Q , 4J100AL26R , 4J100BA02Q , 4J100BA03Q , 4J100BA05Q , 4J100BA11P , 4J100BA15P , 4J100BA15Q , 4J100BA16Q , 4J100BA20Q , 4J100BB07Q , 4J100BB10Q , 4J100BB17P , 4J100BB17Q , 4J100BB17R , 4J100BB18P , 4J100BB18Q , 4J100BC04Q , 4J100BC09Q , 4J100BC12Q , 4J100BC53P , 4J100BC53Q , 4J100BC58P , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100CA06 , 4J100DA01 , 4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (3件)

液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料、および該保護膜を用いたレジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-132081 出願人：東京応化工業株式会社
液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-196529 出願人：富士写真フイルム株式会社
化学増幅ポジ型レジスト材料
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-210657 出願人：信越化学工業株式会社

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