特許

J-GLOBAL ID：200903078230524100

絶縁ゲ-ト型電界効果トランジスタおよび製造方法

発明者： 菅井 昭彦
出願人/特許権者： 新電元工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-188783
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005864
出願日： 1992年06月23日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 ゲ-ト電極直下のドレイン領域に対面して設ける厚い絶縁膜の左右両側のゲ-ト電極の長さを等しくして、微細化を向上すると共に、オン抵抗を増加することなく、ゲ-ト容量を低減することを目的とする。【構成】 厚い絶縁膜の左右両側のゲ-ト電極の長さをほぼ等しくし、かつ、チャネル領域端部を厚い絶縁膜の端部に接するか、又は近接するように形成した構造、および、厚い絶縁膜に対し、一定間隔で寸法規整用絶縁膜を形成し、次いで、ゲ-ト絶縁膜とゲ-ト電極を形成後、寸法規整用絶縁膜を除去する工程を少なくとも含む製造方法。

請求項（抜粋）：

ドレイン領域となる一導電型半導体基体主表面に形成した逆導電型のチャネル領域、チャネル領域に形成した一導電型のソ-ス領域、ドレイン領域の主表面に設けた厚い絶縁膜、厚い絶縁膜とソ-ス領域間を主表面上でつなぐように設けたゲ-ト絶縁膜、厚い絶縁膜とゲ-ト絶縁膜上に設けたゲ-ト電極、およびソ-ス電極から成る絶縁ゲ-ト型電界効果トランジスタにおいて、厚い絶縁膜の両側に設けたゲ-ト電極の端部までの長さをほぼ等しくし、かつ、チャネル領域とドレイン領域との接合面の主表面上での端部を、厚い絶縁膜の端部に接するか、又は近接するように形成したことを特徴とする絶縁ゲ-ト型電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 321 G ,  H01L 29/78 321 P