特許
J-GLOBAL ID：200903078233406648

半導体結晶膜の成長装置

発明者：
竹川 一紀

竹川 一紀 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-281794
公開番号（公開出願番号）：特開2003-173981
出願日： 2002年09月26日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：
【要約】【課題】 膜厚および組成の面内均一性のよい窒化物半導体結晶膜を成長させる方法および装置を提供する。【解決手段】 基板の表面に原料ガスを供給する原料ガス供給管と、該原料ガスが熱対流により拡散することを防止するために整流板によって基板に対して0°〜90°の角度で押圧ガスを噴射する第1のガス噴射管とを有する、窒化物半導体層の成長装置において、さらに、該原料ガス供給管から噴射される原料ガスの一部を基板上から除去するためのガス、又は該原料ガス供給管から供給される原料ガスを希釈したガスを噴射する第2のガス噴射管を備え、基板の半分より遠い側に噴射口がくるように噴射管を取り付け、基板上で一部の成長を抑制することにより、組成比および膜厚の面内バラツキを数%以内に低減する。
請求項（抜粋）：
基板の表面に原料ガスを供給する原料ガス供給管と、該原料ガスが熱対流により拡散することを防止するために基板に対して0°〜90°の角度で押圧ガスを噴射する第1のガス噴射管とを有する窒化物半導体層の成長装置において、さらに、該原料ガス供給管から噴射される原料ガスの一部を基板上から除去するためのガスを噴射するための第2のガス噴射管を備えたことを特徴とする窒化物半導体層の成長装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/455
FI (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/455
Fターム (23件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030CA05 ,  4K030EA03 ,  4K030EA08 ,  4K030FA10 ,  4K030JA04 ,  4K030KA49 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC19 ,  5F045BB02 ,  5F045DP04 ,  5F045EF01 ,  5F045EF08 ,  5F045EF09
引用特許：
出願人引用 (5件)
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