半導体集積回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-144142
公開番号（公開出願番号）：特開平7-007064
出願日： 1993年06月16日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：

【要約】【目的】半導体記憶回路内の素子あるいはセルの電気的特性モニターの手段として、本来の記憶回路部周辺に配置されたダミー記憶回路内素子あるにはセルを利用することで、実際の記憶回路内の素子あるいはセルに極めて近い電気的特性を得る。【構成】本来の記憶回路406と読み書きを制御する周辺回路部401を基本とし、その間には、製品チップ内でのパターンの疎密によって生じる加工偏差を抑制する目的で、ダミー記憶回路402が配置される。このダミー記憶回路内素子あるいはセル403から測定端子405まで査層配線404を用いて引き出し、電気的測定を可能にした。注目素子403の位置を変えることにより、素子特性の製品チップ内位置依存性も得られる。

請求項（抜粋）：

半導体基体の一表面に形成され、半導体記憶回路と読み書きを制御する周辺回路との間に、本来の記憶回路内セルと同様のパターンを有するダミー記憶回路が設けられ、前記ダミー記憶回路内の任意素子あるいは任意セルから、直接電気的測定可能な構造を持つことを特徴とする半導体集積回路装置。

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